http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/16 Sun, 19 Apr 2026 10:41:15 GMT 2026-04-19T10:41:15Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/538 Titre: MODELISATION DU PROCESSUS DE CONCEPTION ETUDE EXPERIMENTALE DU SYSTEME COMPOSITIONNEL, INSTANCE CONCEPTION Auteur(s): ARROUF, ABDELMALEK; BENSACI, ABDELKADER Résumé: Ce papier propose une description du processus de conception architecturale en tant que processus de manipulation de l’information qui prend lieu dans la noosphère du sujet concevant. Il élabore un modèle a priori du processus de conception qu’il soumet à une validation expérimentale par le biais d’une étude empirique basée sur la méthode de l’analyse des recueils d’observations (protocol analysis). Mon, 30 Dec 2013 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/538 2013-12-30T00:00:00Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/537 Titre: ELIMINATION DU CUIVRE PAR DES PROCEDES DE PRECIPITATION CHIMIQUE ET D'ADSORPTION Auteur(s): YOUCEF, L; ACHOUR, S Résumé: The purpose of this study is to present tests results of copper removal by processes of lime chemical precipitation and adsorption on bentonitic clays. For increasing lime amounts, copper removal efficiencies seem excellent because of the precipitation of copper hydroxide. Adsorption tests showed that the bentonite of Maghnia was more powerful than that of Mostaghanem. Copper fixing on clay is fast and is improved with the increase of the amounts of bentonites, pH and the initial content of copper. Several retention mechanisms could be competitive (ion exchange, complexation or precipitation). Mon, 30 Dec 2013 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/537 2013-12-30T00:00:00Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/536 Titre: NOUVEL ALGORITHME DE SIMULATION MONTÉ CARLO DU COURANT EBIC DANS LES SEMICONDUCTEURS Auteur(s): LEDRA, M Résumé: We have developed a new Monte Carlo algorithm to simulate the EBIC current. The algorithm simulates the incident electron trajectories and the energy dissipation that determines the carriers generation within the semiconductor under electron bombardment. The generation function of the excess carriers obtained is given as three-dimensional distribution of point-like sources Si within the generation volume. We have calculated the trajectory of each carrier that originates from the different point-like sources Si until its collection at the Schottky contact surface or its recombination. We have discussed the effect of incident electrons energies E0 and the minority carrier diffusion length L on the collection efficiency η of a Schottky diode in germanium. Our results are in good agreement with those published in literature. Mon, 30 Dec 2013 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/536 2013-12-30T00:00:00Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/535 Titre: MODELISATION DES SOLUTIONS AQUEUSES D’ELECTROLYTES DU TYPE 3-1 Auteur(s): BOUKHALFA, N; MENIAI, A-H; EUGENIA; MACEDO, A Résumé: Pour modéliser les coefficients d’activité des solutions aqueuses d’électrolytes du type 3-1, nous avons repris la théorie originale de Pitzer concernant l’énergie d’excès de Gibbs pour les solutions aqueuses d’électrolyte. Le modèle a été appliqué pour 11 systèmes incluant des électrolytes du type 3-1. La performance de ce modèle a été comparée avec d’autres modèles existant dans la littérature. Les résultats montrent que le modèle de Pitzer peut représenter les coefficients d’activité des électrolytes dans des solutions aqueuses avec une déviation standard comparable aux autres modèles et dans la plupart des cas meilleure que les autres. Mon, 30 Dec 2013 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/535 2013-12-30T00:00:00Z