http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/2168 Mon, 06 Apr 2026 03:00:29 GMT 2026-04-06T03:00:29Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/7365 Titre: Deep traps and temperature effects on the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes on (2 1 1) and (3 1 1) oriented GaAs substrates Auteur(s): R. Boumaraf; N. Sengouga; R.H. Mari; Af. Meftah; M. Aziz; Dler Jameel; Noor Al Saqri; D. Taylor; M. Henini Résumé: The SILVACO-TCAD numerical simulator is used to explain the effect of different types of deep levels on the temperature depen- dence of the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates, namely (3 1 1)A and (2 1 1)A oriented GaAs substrates. For the (3 1 1)A diodes, the measured capacitance–temperature characteristics at different reverse biases show a large peak while the (2 1 1)A devices display a much smaller one. This peak is related to the presence of different types of deep levels in the two structures. These deep levels are characterized by the Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) technique. In the (3 1 1)A structure only majority deep levels (hole deep levels) were observed while both majority and minority deep levels were pres- ent in the (2 1 1)A diodes. The simulation software, which calcu- lates the capacitance–voltage and the capacitance–temperature characteristics in the absence and presence of different types of deep levels, agrees well with the experimentally observed behavior of the capacitance–temperature properties. A further evidence to confirm that deep levels are responsible for the observed phenom- enon is provided by a simulation of the capacitance–temperature characteristics as a function of the ac-signal frequency. Thu, 03 Mar 2016 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/7365 2016-03-03T00:00:00Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/3724 Titre: دلالة الاستلزام الحواري في الباب السابع عشر من " كليلة ودمنة " لابن المقفّع Auteur(s): د/ ليلى جغام Sat, 28 Jun 2014 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/3724 2014-06-28T00:00:00Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/3723 Titre: حضور المتلقي في نصوص "البيان والتبيين" للجاحظ Auteur(s): د/ ليلى جغام Sat, 28 Jun 2014 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/3723 2014-06-28T00:00:00Z http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/3671 Titre: RENDU DE SURFACES PAR DEFORMATION DE TEXELS Auteur(s): Babahenini Mohamed Chaouki; Hamida Ammar; Hemidi Djallel; Djedi Noureddine Résumé: Le besoin accru de réalisme, de convivialité et d’efficacité a conduit à l’étude de nouvelles méthodes d’habillage où la génération de textures, le plaquage et le rendu global se conjuguent pour permettre la création et la représentation multi-échelle de scènes à géométrie répétitives complexes. Nous présentons dans cet article une méthode générale pour l’habillage et le rendu d’une surface tridimensionnelle représentant la scène par une texture volumique. Cette surface doit initialement être discrétiser afin de créer un maillage surfacique optimal permettant ainsi de construire un maillage volumique qui sera considéré comme une peau épaisse. La manipulation interactive de ce maillage par la perturbation de ses paramètres conduira à le coiffer. Une fois le coiffage réaliser, la méthode que nous proposons passe à l’étape de l’habillage qui s’effectue dans le cadre d’un rendu global utilisant un lancer de rayon conique courbé et prenant en charge l’aspect muti-échelle de la texture volumique. Fri, 13 Jun 2014 00:00:00 GMT http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/3671 2014-06-13T00:00:00Z