SIMULATION numérique des CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE D'UNE SOLAIRE A DOUBLE JONCTION EN ALGaAs/SI

Abstract

La cellule solaire à double jonction présente une efficacité élevée en raison de l'absorption du plus grand nombre de photons incidents. Ce mémoire est une application du logiciel SILVACO-ATLAS pour comparer les caractéristiques électriques calculées d’une cellule solaire à double jonction à base AlGaAs/Si avec ceux d’une cellule solaire à base Si. Cette simulation sous est éclairement AM1.5. Les paramètres photovoltaïques de la cellule solaire à double jonction à base (AlGaAs/Si) simulés sont la densité de courant de courtcircuit Jsc =12.27 mA/cm2, la tension de circuit ouvert Voc = 1.97 V, le facteur de forme FF=90.53%, et le rendement η =21.97%. Les paramètres de sortie de la cellule à base Si calculés par simulation sont la densité de courant de court-circuit Jsc = 31.02 mA/cm2, la tension de circuit ouvert Voc = 0.55V, le facteur de forme FF=81.68%, et le rendement η =13.90%. Ces résultats montrent que le rendement de la cellule solaire à double jonction est meilleur que la cellule solaire simple jonction. Mots Clés : Cellule solaire, SILVACO-ATLAS, AlGaAs/Si, Si, double jonction.