SIMULATION DE LA REPONSE SPECTRALE DES PHOTODIODES PIN en Si

Abstract

In our study, we are interested in silicon-based PIN photodiodes. This work is a simulation based on the SILVACO Atlas software to obtain the electrical and optical characteristics of the Si homojunction PIN photodiode, namely the current-voltage characteristic (I-V) and the spectral sensitivity (S ()). We have simulated the effects of some parameters on the characteristics of the PIN photodiode. We have considered the most influential parameters in terms of a photodiode performance. Indeed, we have simulated the effect of the intrinsic region thickness, the doping of the intrinsic region and the temperature. We also have simulated the effect of the photodiode surface and incident radiation on the photodiode. Keywords: PIN photodiode, Silicon, Simulation, SILVACO-Atlas, Current-voltage, Spectral sensitivity Dans notre étude, nous intéressons aux photodiodes à base de silicium, principalement les photodiodes PIN. Ce travail est une simulation basée sur le logiciel SILVACO Atlas pour obtenir les caractéristiques électriques et optiques de la photodiode homo-jonction à savoir la caractéristique courant-tension (I-V) et la sensibilité spectrale (S()). Nous avons simulé les effets de quelques paramètres sur les caractéristiques de la photodiode PIN. Nous avons pris en considération les paramètres les plus influents de point de vue performance d’une photodiode. En effet, nous avons simulé l’effet de l’épaisseur de la région intrinsèque, du dopage de la région intrinsèque et de la température. Nous avons également simulé l’effet de la surface de la photodiode et du rayonnement incident sur la photodiode. Mots-clé : Photodiode PIN, Silicium, Simulation, SILVACO-Atlas, Courant-tension, Sensibilité spectrale.