Calcul numérique de la capacité d'un détecteur de particules à base d'une structure p+nn+ au silicium

Abstract

La capacité d’une structure p+nn+ au silicium (utilisée comme détecteur de particules) est calculée par la méthode de l'énergie potentielle. Cette méthode donne des résultats plus proche de la réalité que la méthode conventionnelle (variation de la charge). Lorsque cette jonction est soumise à des fortes radiations, des défauts structuraux sont créés. Ces défauts se manifestent comme des pièges profonds et/ou des centres de génération-recombinaison (g-r). On montre que la capacité négative en polarisation directe et la présence d’un pic en polarisation inverse (observés expérimentalement) sont dus principalement à la présence d’une densité considérable des centres de g-r. Les pièges ont un effet supplémentaire. La région active de la diode irradiée, initialement de type n, deviendra essentiellement intrinsèque ou de type p. Ceci est du à la compensation des donneurs superficiels par les pièges profonds accepteurs au présence des centres de génération-recombinaision.