Extraction des paramètres électrique d'une diode à barrière de Schottky (SBD) à base de phosphure d'indium de type n (n-InP) par I-V-T et C-V-T).

Abstract

La jonction métal-semiconducteur utiliser comme redresseur est une structure fondamentale dans l’industrie des semiconducteurs, puisqu’elle est utilisée dans des importants dispositifs comme les transistors à effet de champ (MESFET et MOSFET), pour sa la caractérisation de l’interface MS possède une grande importance. Au cours des deux dernières décennies, les caractéristiques courant- tension (I-V) et capacitance-tension (C-V) sont les méthodes de caractérisation les plus utilisées pour étudier la jonction de Schottky dans une plage de température. Dans cette thèse, la structure de la diode Schottky Au/n-InP/AuGe a été étudié par la simulation des caractéristiques I-V et C-V dans la gamme de température 400-100 K en absence et en présence des états d'interface, pièges et le courant tunnel. La simulation a été effectuée avec le simulateur Atlas-Silvaco-Tcad en utilisant les modèles physiques appropriés pour expliquer les comportements anormaux observés expérimentalement dans les diodes Schottky qui sont la déviation de la courbe linéarité de Richardson, la dépendance de la barrière Schottky (∅