Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/400
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dc.contributor.authorMEFTAH, AF-
dc.contributor.authorMEFTAH, AM-
dc.contributor.authorMERAZGA, A-
dc.date.accessioned2013-12-29T14:04:19Z-
dc.date.available2013-12-29T14:04:19Z-
dc.date.issued2013-12-29-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/400-
dc.description.abstractA l'équilibre thermodynamique, la création des défauts dans la structure du silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) est le résultat de la conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes provoquée par la diffusion de l'hydrogène. L'application de la loi de l'effet de masse à cette réaction suivant le modèle defect pool permet la détermination de la densité d'états des défauts dans le gap d'énergie. Lorsque le matériau est exposé à la lumière, la densité totale des défauts augmente. Nous proposons un nouveau modèle pour simuler la cinétique de création des défauts induits par la lumière selon lequel l'évolution de la densité totale des défauts se trouve en accord avec les mesures expérimentales généralement observées.en_US
dc.language.isofren_US
dc.titleMécanismes de formation des défauts dans le a-Si:H à l'équilibre et sous l'illuminationen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:CS N 03

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