Etude par simulation numérique de l'effet des défauts dans une cellule solaire N/P en silicium cristallin

Abstract

Dans ce mémoire nous avons fait l'étude de l'effet des défauts sur les paramètres électriques d'une cellule solaire n-p en silicium cristallin. Les paramètres électriques sont la caractéristique J-V, le rendement quantique et la paramètres de sortie de la cellule calculé par le ligiciel SCAPS. Les paramètres de sortie calculés pour la cellule sont : 33.68 mA/cm²,0.5 V; 79.49% et un rendement de 13.41%. Pour une densité 10(a la puissance 15)cm-3 de défauts, le rendement de conversion de la cellule a présenté une dégradation de 47.8% si le défaut est un centre de recombinaison, une dégradation de 5-6% si le défaut est un piège à trous. Pour le piège à électron, nous avons trouvé que la position de l'énergie du défaut a un grand effet. La dégradation du rendement atteint 59% lorsque le piège est situé à 0.12 eV par rapport à Ec et chute à 1% lorsque le piège est situé à 0.1 eV par rapport à Ev.