Étude comparative de la méthode du photo-courant constant en régime périodique (AC-CPM) et continu (DC-CPM).

Abstract

Le but de ce travail est de comparer les résultats de caractérisation des défauts profonds dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si : H) intrinsèque obtenus par la méthode de photo-courant constant en régime périodique (AC-CPM) et en régime continu (DC-CPM). Pour cette raison, nous avons développé un programme de simulation qui tient en compte toutes les transitions optiques possibles, a savoir les transitions optiques directes entre les états occupés et la bande de conduction et les transitions optiques indirectes entre la bande de valence ou la queue de bande de valence et les états non occupés suivie par des émissions thermiques convenables. Nous présentons ainsi la différence observée concernant le coefficient d’absorption optique et la densité d’états profonds entre le régime périodique (mode AC) et le régime continu (mode DC). Ceci est du aux différences qui existent entre les deux modes en termes de transitions optiques directes et indirectes.