Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/4722
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dc.contributor.authorHasni, Chahrazed-
dc.date.accessioned2014-12-04T10:12:48Z-
dc.date.available2014-12-04T10:12:48Z-
dc.date.issued2014-12-04-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/4722-
dc.description.abstractNous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiques électriques, courant-tension et réponse spectrale, d'une cellule solaire en silicium cristallin par le logiciel SCAPS. Une comparaison entre la structure n-p et p-n de la cellule est faite et on a trouvé que la cellule p-n présente le meilleur rendement de conversion de 13.24%. Pour chaque structure, on a fait également une étude de l'effet de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur et du collecteur sur les paramètres de sortie de la cellule qui sont, la tension de circuit ouvert � �� , le courant de court circuit ��� , le facteur de forme �� et le rendement de conversion �, ainsi que la réponse spectrale. D'après les résultats, les paramètres du collecteur ont plus d'effets par rapport à ceux de l'émetteur.en_US
dc.language.isofren_US
dc.titleComparaison par simulation numérique entre une cellule solaire n/p et une cellule solaire p/n en silicium cristallin par SCAPSen_US
dc.typeThesisen_US
Appears in Collections:Faculté des Sciences Exactes et des Sciences de la Nature et de la Vie (FSESNV)



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