etude par simulation numérique de l'effet du dopage et des épaisseurs sur les carctéristiques électriques d'une cellule solaire(p/n) en Silicium

Abstract

Le but de ce mémoire est l'étude de l'effet des épaisseurs et du dopage de l’émetteur et du collecteur sur les caractéristiques électriques d’une cellule solaire p-n en silicium cristallin. Cette étude a été effectuée au sein du laboratoire LMSM à l’université de Biskra. Les caractéristiques électriques sont la caractéristique courant-tension en présence de l’éclairement solaire AM1.5 et la réponse spectrale, ainsi que les paramètres de sortie de la cellule (Jcc, Vco, FF, ). La simulation est faite par le logiciel AMPS-1D.

Les résultats obtenus montrent que la diminution de l’épaisseur de l’émetteur, l’augmentation de l’épaisseur du collecteur et l’augmentation du dopage de l’émetteur entraine une amélioration dans le rendement de la cellule. Cependant, le dopage du collecteur n’a pas d’effet signifiant. En plus, l’ajout de régions fortement dopées au dessous des contacts ; p++ coté émetteur et n++ coté collecteur a amélioré le rendement de conversion à 14% devant 11-12% de la cellule solaire simple p-n.