Simulation d'un Transistor HEMT a base de GaAs (AlGaAs/GaAs)

Abstract

Dans ce travail, nous avons mené une étude des caractéristiques de transfert DC et RF d’un transistor a effet de champ AlGaAs/GaAs HEMT. Nous exposons les résultats de la simulation numérique bidimensionnelle sous l’influence de différents paramètres technologiques tels que longueur et enfoncement de la grille. Aussi sous l’effet des propriétés de matériau autant que le dopage du canal et la fraction molaire d’Aluminium dans l’alliage AlGaAs. La simulation de la structure est faite en utilisant le logiciel TCAD (Technical computer Aided Design) Silvaco-Mercury. L’étude a permis d’évaluer les relations entre les paramètres de sortie de transistor et ceux de la physique de l’hétérojonction. L’augmentation de la fraction molaire d’Aluminium a clairement diminué le courant Ids et le maximum de la transconductance Gmmax, cela est dû à la diminution de la densité ns (2DEG). L'efficacité du transfert des électrons à partir de la couche delta-dopée (ns) dans le canal AlGaAs offre une meilleure capacité de commande d'électrons par la grille. Cependant le fait de croître la densité de dopage (ns) améliore la caractéristique de transfert (Ids-Vds) et la transconductance en fonction de la tension grille. La réduction de la longueur de grille et la modération de l’enfoncement de cette électrode jouent un rôle propice en amélioration des performances de transistor à effet de champ. Les résultats obtenus ont été présentés, discutés et sont affirmés avec ceux de l’expérience existant dans la littérature.