Effet de la géométrie et du dopage sur la caractéristique du transistor BMFET à base 4H-SiC

Abstract

Résume Depuis la création de la technologie d’électronique de puissance, les électroniciens a toujours cherché à développer des nouveaux composants, les recherches effectuées ont mis en évidence que le transistor BMFET à base 4H-SiC est un matériau parfaitement adapté pour les conditions insupportable par d’autres type de composant, parmi ces conditions la température très élevé et la haute tension de fonctionnement. Dans le cadre de cette mémoire, Il nous a donc paru logique de nous intéresser, à la simulation des caractéristiques du transistor BMFET et l’influence du changement du leur dimension effective et leur dopage sur là ces caractéristiques