Caractéristiques électriques d’une diode à barrière de Schottky (SBD) avec et sans couche isolante SiO2 à la température ambiante (300K)

Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/6545

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	GHACHAME, Samah	-
dc.date.accessioned	2015-12-15T13:40:28Z	-
dc.date.available	2015-12-15T13:40:28Z	-
dc.date.issued	2015-12-15	-
dc.identifier.uri	http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/6545	-
dc.description.abstract	Résumé L’objectif du présent travail est la modélisation et simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology computer Aided Design) les propriétés électriques courant-tension et capacité-tension d’une diode à barrière de Schottky (SBD) formée sur l'arséniure de gallium de type n (n-GaAs) en vue d’une étude comparative d’une diode sans et avec couche d’isolons (SiO2) à température ambiante [300 K]. On utilise la caractéristique courant-tension pour extraire les principaux paramètres qui caractérisent la diode Schottky tel que le facteur d'idéalité, la hauteur de la barrière, le courant de saturation, la résistance série.	en_US
dc.title	Caractéristiques électriques d’une diode à barrière de Schottky (SBD) avec et sans couche isolante SiO2 à la température ambiante (300K)	en_US
dc.type	Masters thesis	en_US
Appears in Collections:	Faculté des Sciences et de la technologie (FST)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
mimooire samah.pdf		3,11 MB	Adobe PDF	View/Open