Simulation numérique des effets de radiation dans les détecteurs de particules à base de silicium de type p

Abstract

Dans ce travail, nous avons fabriqué une diode schottky AuGeNi/Si de type p, ainsi des mesures des caractéristiques courant-tension et capacité-tension en variant la température sont faites, la simulation de cette diode par Tcad-Silvaco dans une gamme de température de 295 à 400K est réalisée. L’extraction des paramètres tel que le facteur d’idéalité et la hauteur de la barrière montre que le facteur d'idéalité η diminue, la hauteur de la barrière ØB0 augmente avec la température. La dépendance en température des caractéristiques I-V de la diode AuGeNi/p-Si Schottky était expliquée avec succès par le mécanisme d'émission thermo-ionique avec une distribution gaussienne de la hauteur de barrière schottky(SBHs). Les résultats de simulation et les résultats expérimentaux sont en bon accord. L'étude de la capacité négative pour des polarisations directes et à des températures supérieures à T=260K a montré que la capacité négative est causée par l'injection des Porteurs minoritaires. Dans la deuxième partie de cette thèse le travail est consacré à l'étude des défauts sur le détecteur de particules a base d’ une diode Schottky de type p. Une diode de Schottky est simulée et une étude est faite pour le dopage de cette diode par des métaux lourds tels que l'or, le Platine et le niobium