Conception d’un amplificateur faible bruit Design of Low Noise Amplifier (LNA

Abstract

Abstract In the last twenty-first century reached to the latest technology innovation in the field of electronics and small size it to farther limits border in designing integrated circuits with transistors high composition by Semiconductors InP and GaAs. Has been reached transistor design from through a change in its physical by several measurements to input signals are weak and re-measured it in the output. We was designed two circuits Low noise amplifier by transistor pHEMT_A043_800μm. the first circuit is source common cascode, the result was the high gain of 47dB and noise figure of 0.68 dB. On the other hand the second circuit composed from three stages cascade by 38.5dB and figure noise 0.7dB. Résumé Au cours des dernières années, un progrès a été réalisé avec succès dans le domaine de l'électronique, la miniaturisation des composants, la conception et la mise en oeuvre MMIC employant les semi-conducteurs composés. Une des applications les plus excitants de cette technologie est le Array (SKA) radiotélescope kilomètre carré. L'objectif principal de ce travail est la conception d'un MMIC InP-pHEMT large bande LNA, dans la bande L avec le niveau de bruit le plus bas possible et que la réponse de gain plat possible. Dans ce travail, nous discutons de la conception de deux amplificateurs à faible bruit (LNA) sur la base d’un transistor de 1 μm de large de la grille, et de large 200 μm sur InP à l'aide de deux topologies. Le premier circuit est composé de deux phases (phase de source commune en cascade avec cascode topologie, le résultat a été le gain élevé de 47 dB et figure de bruit de 0,68 dB. D'autre part, le second est un amplificateur en cascade à deux étages avec 38.5dB et la figure 0,7 dB de bruit.