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dc.contributor.authorKAHLOUL, Mohamed-
dc.date.accessioned2019-04-11T12:44:39Z-
dc.date.available2019-04-11T12:44:39Z-
dc.date.issued2014-06-20-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/12302-
dc.description.abstractLa croissance extraordinaire rencontrée par l'industrie des composantes et les périphériques dépend des circuits intégrés tels que les transistors à effet de champ et transistor à grille isolée (MOSFET). Dans ce cadre, nous avons fourni la technologie CMOS, en expliquant la base de la technologie CMOS, le processus d’amélioration, étapes de fabrication de transistor nMOS, règles de conception, de la planification et des problèmes de cette technologie. Après cela, nous avons présenté un programme de simulation Microwind en traitant tout les détails. En fin de compte, nous avons conçu un circuit résonateur et nous avons fait la simulation par ce programme. Les résultats ainsi obtenus en termes de fréquence en changeant la technologie et les dimensions des transistors et les résultats étaient satisfaisantes. Mots-clés: transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET), technologie CMOS, Microwind, Simulation, circuit résonateur.en_US
dc.language.isofren_US
dc.titleConception et simulation d'un résonateur en Technologie CMOS avec Micro Winden_US
dc.typeMasteren_US
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