Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/13806
Title: Modélisation quantique d’un transistor HEMT
Other Titles: physique
Authors: houili kamir, bourouis kamilia
Issue Date: 20-Jun-2019
Abstract: Le modèle du transistor GaAs/AlxGa1-xAs avec des couches  -dopée d’être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal GaAs et la couche  -dopée type n et l’épaisseur de cette couche  -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu’une grande variation de bande conduction ou de la fraction molaire d’Al, les électrons sont confinés plus grand dans le canal GaAs. La surface entre le GaAs canal et la couche  -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons se trouve dans le canal. Mots clés : transistor HEMT, puits quantique, hétérojonctions
URI: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/13806
Appears in Collections:Faculté des Sciences Exactes et des Science de la Nature et de la vie (FSESNV)

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