Caractérisation et modélisation des TFTs ZnOAmorphe

Abstract

Dans ce travail, une étude expérimentale a été menée sur les transistors à effet de champ en couches minces de ZnO. L’étude expérimentale est réalisée à l’aide de l'analyseur de dispositifs à semi-conducteurs KEYSIGHT B1500A. Cet appareilmesurer les propriétés électriques ID--VG de ces transistors, en tenant compte des effets du type des isolants de grille (HfO2) et (Al2O3). Ceci a comme but la comparaison des transistors avec différents isolant de la grille et en déduire les performances de ces transistors. Les conclusions sont les suivantes:  Lorsqu’une tension faible est appliquée entre la source et le drain, les paramètres : mobilité ; la pente sous seuil et la tension de seuil sont élevées.  Il est constaté que les valeurs des pentes sous-seuil pour TFT-ZnO (HfO2comme isolant) est plus grande par rapport à ceux pour de TFT-ZnO (Al2O3 comme isolant).  Le transistor TFT-ZnO (Al2O3) a une mobilité à effet de champ plus grand par rapport à celle de TFT-ZnO (HfO2).  LeRapport ION / IOFF a été trouvé plus important pour TFT-ZnO (HfO2) par rapport ce du TFT-ZnO (HfO2).  La tension de seuil pour le TFT ZnO (HfO2) est supérieure à celui du TFT-ZnO (Al2O3). Comme perspective, il est proposé d’améliorer la qualité du transistor en utilisant d’autres méthodes de croissance des couches minces de ZnO ainsi que la déposition de l’isolant.