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dc.contributor.authorben khaddouma, hiam-
dc.date.accessioned2019-12-16T13:25:35Z-
dc.date.available2019-12-16T13:25:35Z-
dc.date.issued2019-06-20-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/14618-
dc.description.abstractNous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiques électriques, courant-tension et rendement quantique , d'une cellule solaire en p-n en GaAs sous éclairement avec un spectre AM1.5 effectuées par le logiciel SCAPS . Les paramètres de sortie de la cellule calculés par simulation sont: le courant de court circuit c =31.11 mA/cm2, la tension de circuit ouvert co=1.06 V, le facteur de forme =85.43% et un rendement de 28.24 %. On a fait également une étude sur l'effet de la vitesse de recombinaison en surface, de l'épaisseur , du dopage , de la durée de vie des porteurs minoritaires, de la résistance série et shunt ,de la température et la densité des pièges profonds de type donneur sur les paramètres de sortie de la cellule et sur le rendement quantique externe(EQE). Mots clés : cellules solaire, GaAs, Logiciel SCAPSen_US
dc.language.isofren_US
dc.titleEtude et Simulation d’une cellule solaire à base de GaAsen_US
dc.title.alternativeELECTRONIQUEen_US
dc.typeMasteren_US
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