Modélisation numérique de la photoconductivité modulée avec inclusion du processus de phototransport par saut ‛‛ hopping’’ dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si : H)

Abstract

Ce travail a pour but de simuler numériquement la photoconductivité modulée dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si :H) et par conséquent son utilité dans la détermination de la densité des états localisés dans le gap de ce matériau. Ce travail est basé sur les deux mécanismes de transport de "multitrapping" et de saut dans une simulation numérique de la photoconductivité modulée qui tient compte, des conditions de température, de la densité des états introduites et de l’excitation de la lumière. La simulation numérique de la photoconductivité modulée (PCM) nécessite en premier lieu la simulation du régime stationnaire. Pour cela, nous avons commencé notre travail par la simulation de la photoconductivité en régime stationnaire (PCS). Les courbes de la PCS en fonction de la température ainsi simulée dans le cas d’un échantillon intrinsèque se trouvent en bon accord avec les résultats expérimentaux correspondants. Les contributions des deux mécanismes de transport ("multitrapping", saut) dans la photoconductivité stationnaire en fonction de la température, de la densité des états et de l’excitation de la lumière sont aussi examinées. La simulation numérique de la photoconductivité modulée nous a permis de calculer la DOS reconstruite pour différentes températures. L'effet de la densité des états introduite et l’effet de l’excitation de la lumière sur les deux processus de conduction ("multitrapping", saut) sont aussi éxaminéesdans la PCM. Les courbes de la PCM obtenues par simulation se trouvent en accord avec les résultats expérimentaux de la PCM dans l’a-Si