Acquisition du signal transitoire dû à la réponse des dispositifs à semi-conducteurs à une tension alternative

Abstract

Dans le bute de déterminé les défauts des composants a semi-conducteur, la méthode DLTS est la plus utilisable pour cette phénomène, ce dernier repose sur l’acquisition des signaux transitoire. Noua avons réalisé expérimentalement un banc d’acquisition de capacité transitoire mesuré après une excitation électrique et une excitation optique depuis une source d’impulsion laser, avec une Longueur d’onde 337 nm. Avec un changement de température commandé avec le cryostat, les réponses (capacité transitoire) acquérir a l’ordinateur, et enregistré ces donnée sous forme d’un document (*.txt) ou (*.cvs) pour utiliser ultérieurement