Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/25499
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorRAHAL, Achour-
dc.date.accessioned2023-05-07T09:58:09Z-
dc.date.available2023-05-07T09:58:09Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/25499-
dc.description.abstractLes oxydes transparents conducteurs (TCO) continuent à susciter une attention considérable du point de vue fondamental et application, principalement en raison de leurs propriétés très exploitées. Une considération particulière a été portée sur SnO2 qui est un semi-conducteur de type n possédant d'excellentes propriétés optoélectroniques soit avec ou sans dopage ; qui lui confèrent la possibilité d'être exploité dans de nombreux domaines comme alternative aux l’ITO . Dans cette perspective, nous avons étudié, dans la première partie de ce travail, l’influence de conditions d’élaboration (conditions opératoires : choix du précurseurs, l’effet de la température du substrat, le concentration d’étain dans le précurseur et le solvant) dans le système SnO2 sur la phase cristalline et les propriétés optoélectroniques des films élaborés par la méthode spray ultrasonique. Dans la deuxième partie, nous avons étudié l’optimisation de facteur de mérite par les effets de dopage (F ou Sb) sur les structures de SnO2en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectTin oxide thin films, Spray ultrasonic, SnCl2 precursor, SnCl4 precursor, Optoelectronic properties, TCO, solar cells.en_US
dc.titleOptimisation des conditions opératoires des couches minces de SnO2 élaborées par ultra sonen_US
dc.typeThesisen_US
Appears in Collections:Sciences de la Matière

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
RAHAL,_Achour.pdf6 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.