Mécanismes de formation des défauts dans le a-Si:H à l'équilibre et sous l'illumination

Abstract

A l'équilibre thermodynamique, la création des défauts dans la structure du silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) est le résultat de la conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes provoquée par la diffusion de l'hydrogène. L'application de la loi de l'effet de masse à cette réaction suivant le modèle defect pool permet la détermination de la densité d'états des défauts dans le gap d'énergie. Lorsque le matériau est exposé à la lumière, la densité totale des défauts augmente. Nous proposons un nouveau modèle pour simuler la cinétique de création des défauts induits par la lumière selon lequel l'évolution de la densité totale des défauts se trouve en accord avec les mesures expérimentales généralement observées.