SIMULATION D’UN TRANSISOR AlGaN/InGaN/GaN A EFFET DE CHAMP (HEMT)

Abstract

Notre travail consiste à simuler en deux dimensions par Silvaco-Atlas, un transistor à effet de champ de haute mobilité AlGaN/InGaN/GaN HEMT, en tenant compte des grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositif. Avec l’utilisation de la couche de canal InGaN, une amélioration supplémentaire dans les applications de puissance à micro-ondes peut être obtenue. Le placement d'un canal InGaN entre les couches de GaN et/ou AlGaN produit un double hétérostructure, qui a des propriétés d’amélioration de confinement des porteurs comparé au puits de potentiel triangulaire qui existe dans une seule hétérostructure. En outre, les expériences de canal treillis contrainte des deux côtés, ce qui devrait conduire à une meilleure densité 2DEG et une plus grande mobilité. L’augmentation du contenu d’Indium induit une large charge de polarisation à l’interface AlGaN/InGaN conduisant à l’accroissement du courant du canal. Élever la concentration des électrons responsables de la conduction ns améliore les caractéristiques de sortie (Id-Vd), (Id-Vg) et Gm-Vg) du transistor. L’accroissement du courant fournie par l’augmentation de ns et aussi responsable de l’élévation dans la valeur de pic de la transconductance ainsi une meilleur maîtrise de contrôle à l’électorale de la grille. L’étude technologique de ces composants consiste a la sélection du substrat basant sur les facteurs du choix qui sont l’accord de maille ou le rapprochement du coefficient de conductivité thermique. La réduction de la longueur de la grille est aussi une façon technologique pour la progression de la capacité de contrôle de la grille qui mène à l’évolution des éléments de transistor telle que la transconductance et la fréquence de coupure ainsi la caractéristique de transfert. La réduction de l’espace de séparation entre le drain et la source conduit à des bons performances du HEMT à base de GaN.