Caractéristiques électriques d’une diode à barrière de Schottky (SBD) avec et sans couche isolante SiO2 à la température ambiante (300K)

Abstract

Résumé L’objectif du présent travail est la modélisation et simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology computer Aided Design) les propriétés électriques courant-tension et capacité-tension d’une diode à barrière de Schottky (SBD) formée sur l'arséniure de gallium de type n (n-GaAs) en vue d’une étude comparative d’une diode sans et avec couche d’isolons (SiO2) à température ambiante [300 K]. On utilise la caractéristique courant-tension pour extraire les principaux paramètres qui caractérisent la diode Schottky tel que le facteur d'idéalité, la hauteur de la barrière, le courant de saturation, la résistance série.