Effet des défauts sur les caractéristiques électriques du transistor BMFET à base de 4H-SiC

Abstract

Résumé Le transistor (Bipolar Field Effect Transistor) à base carbure de silicium noté BMFET 4H-SiC est un nouveau composants majeur utilisé dans les dispositifs électroniques. Le principal but de notre travail est de simuler numériquement l’effet des défauts du matériau (section de capture et la densité) dans les caractéristiques courant tension en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, Technical Computer Aided Design (TCAD). Le projet contient une partie sur les généralités du carbure de siliciums et un résumé de certaine propriété physique. Nous établirons aussi une inspection principaux des défauts native dans le SiC. Dans ce travail, la simulation a montré que le courant drain-source (Ids-Vds) démunie avec l’augmentation de la densité des pièges, même remarque pour la section de capture ce qui entrain une démunition dans le gain.