Modélisation quantique d’un transistor HEMT

Abstract

Le modèle du transistor GaAs/AlxGa1-xAs avec des couches  -dopée d’être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal GaAs et la couche  -dopée type n et l’épaisseur de cette couche  -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu’une grande variation de bande conduction ou de la fraction molaire d’Al, les électrons sont confinés plus grand dans le canal GaAs. La surface entre le GaAs canal et la couche  -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons se trouve dans le canal. Mots clés : transistor HEMT, puits quantique, hétérojonctions