Simulation d’un transistor MESFET en GaAs en utilisant le simulateur Atlas-Silvaco

Abstract

Le transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium est un composant électronique qui le plus utilisé dans les circuits intégrés. Le but de ce travail est de simuler numériquement l’influence des paramètres technologiques tel que longueur de grille, épaisseur et dopage du canal et l’effet des pièges accepteurs et donneurs présent dans le substrat sur les caractéristiques courant-tension en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, (Technical Computer Aided Design (TCAD). Les résultats ont présenté qu'en trouve des pièges accepteurs dans le substrat ont un effet considérable sur les caractéristiques courant - tension parce que la zone de charge d'espace augmente dans le canal. Par contre les pièges donneurs n’est observé aucun effet sur les caractéristiques courant-tension. Mots clés : transistors MESFET, Atlas-Silvaco, GaAs, les pièges. Abstract : The transistor (MESFET-GaAs) is an electronic compound, it used extensively in integrated circuits. in this work, we have studied, numerical calculation of the current voltage characteristics and we determined the influence of the physical and the geometric parameters of the transistor by the Atlas-Silvaco simulator, as well as the study of the donors and acceptors traps in the substrate. Through the obtained results we found that the current increases by increasing the thickness and doping of the active layer and the voltage of the gate also; while it decreases with increases the length of the gate and the acceptors traps that affect on the depletion region.