Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/25339
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dc.contributor.authorBoudib, Ouahiba-
dc.date.accessioned2023-05-04T09:46:35Z-
dc.date.available2023-05-04T09:46:35Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/25339-
dc.description.abstractLe transistor à un électron est un composant très important dans le domaine nanostructure, il appelé aussi le SET (Single Electron Transistor en anglais). Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés électroniques dans ce dispositif (SET) sous l’effet du champ magnétique extérieur. On a résolu les équations de Poisson-Schrödinger par la méthode des volumes finies. Nous avons calculé les niveaux d'énergies et les états des spins dans le point quantique et on a déterminé la séparation de niveau d'énergie (l’effet de Zeeman) et calculé le facteur de Lande (en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjecttransistor à point quantique, SET, blocage de Coulomb, point quantique,en_US
dc.titleEtude des propriétés électroniques dans le point quantique sous l’effet du champ magnétiqueen_US
dc.typeThesisen_US
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