SIMULATION MONTE CARLO DU COURANT INDUIT PAR FAISCEAU D’ELECTRONS D'UN NANO CONTACT SCHOTTKY

Abstract

Nous avons développé un algorithme de simulation Monte Carlo pour calculer le courant induit par faisceau d’électrons (EBIC) collecté par deux types de contact Schottky l’un infini et l’autre de dimension nanométrique de forme circulaire de rayon rc entouré par une surface de vitesse de recombinaison infinie (vs =∞) . Cet algorithme simule premièrement les trajectoires des électrons primaires incidents d’énergie E0 et leur dissipation d'énergie qui détermine la génération des porteurs à l'intérieur du semi-conducteur bombardé. La fonction de génération des porteurs minoritaires en excès ainsi obtenue est sous la forme d'une distribution tridimensionnelle de sources quasi ponctuelles Si de coordonnées (xi, yi, zi). L’EBIC est obtenu en utilisant la méthode Monté Carlo. Cette méthode simule la trajectoire de chaque porteur minoritaire généré par différentes sources Si jusqu'à sa collection par le contact Schottkyconsidéré ou sa recombinaison en volume ou en surface.Cette étude réalisée par notre algorithme de simulation Monté Carlo a montré que l'efficacité de collecte ηEBIC des deux types de contact Schottky, microscopique et, augmente avec la longueur de diffusion des porteurs minoritaires L et la largeurde la zone déserte ZD mais elle diminue quand l’énergie incidente E0 augmente. Dans le cas d’un Nano-contact Schottky, nous avons étudié en plus l’effet de la vitesse de recombinaison en surface vs sur les profils de l'efficacité de collecte ηEBIC simulée. Nos résultats obtenus ont montré que ces profils admettent des maximums situés au centre du Nano-contact Schottky et diminuent en s’éloignant et les valeurs obtenues pour une vitesse de recombinaison nulle en surface sont supérieures à celles obtenues pour vitesse infinie.