Study of Thin Layers of Indium Oxide (In2O3) Elaborated by Chemical Means

Abstract

Dans ce travail nous avons élaboré des couches minces d’oxyde d’indium (In2O3) par la technique spray ultrasonique en utilisant chlorure d’indium comme solution de précurseur. L'effet du temps de dépôt, débit de la solution, surface de substrat et la température de recuit sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques de ces films ont été étudiés. Un certain nombre de techniques, ainsi que la diffraction des rayons X (XRD), SEM, et UV-visible sont utilisées pour caractériser les propriétés physiques de ces films. L'analyse par diffraction des rayons X a montré que les films sont de nature polycristalline ayant une structure cristalline cubique et un groupe d'espace de symétrie Ia3. D'autre part, l'orientation de croissance préférée est changée de l'orientation (222) ver la direction (400) avec l'augmentation de l'épaisseur du film ou de la diminution de la concentration d’oxygène dans le film. Images MEB montrent que les films sont surface rugueuse et la forme des grains change avec le changement de l'orientation de croissance préférentielle. L'amélioration de la transmission des films In2O3 a été étroitement liée à la bonne qualité cristalline des films et l'écart optique varie entre 3,64 eV et 3,93 eV. La caractérisation électrique de nos films par la méthode à quatre points montrent que les films In2O3 / KCL a la résistivité la plus faible (0,8 10-3 Ω c