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dc.contributor.authorBENMAKHLOUF, ABDENNOUR-
dc.date.accessioned2023-05-21T12:46:42Z-
dc.date.available2023-05-21T12:46:42Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/26199-
dc.description.abstractLa caractéristique courant – tension en mode direct d’une diode p-n-n, à base de silicium, utilisée comme un détecteur de particules est simulée par la résolution numérique de l’équation de poisson et des équations de continuité. Les conditions supposées pour ce régime sont ceux de l’obscurité(régime stationnaire), la présence des pièges(effet d’irradiation) en considérant le cas de la polarisation direct. L’effet d’irradiation et de la température sur la caractéristique I-VF sont ensuite étudier par une analyse des paramètres qui définissent des fonctions empiriques I(V), données pour décrire le comportement du courant de la diode en polarisation direct avant et après irradiation. Les courbes I(VF) obtenues par simulation et le calcule des paramètres, conductance et énergie d’activation à partir des fonctions choisie ,se trouvent en conformité avec des mesures expérimentales correspondantes.en_US
dc.language.isofren_US
dc.titleParamétrisation des caractéristiques courant – tension directes des diodes irradiéesen_US
dc.typeThesisen_US
Appears in Collections:Sciences de la Matière

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