Please use this identifier to cite or link to this item: http://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/26200
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dc.contributor.authorBecer, zoubir-
dc.date.accessioned2023-05-21T12:48:00Z-
dc.date.available2023-05-21T12:48:00Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://archives.univ-biskra.dz/handle/123456789/26200-
dc.description.abstractCes dernières années, les tailles des nanostructures de semi-conducteurs sont devenues si petites que nous devons tenir compte des effets quantique. Le gaz d'électron bidimensionnel dans l’hétérostructure AlGaAs/InGaAs/GaAs pour une variété de différentes configurations est étudié. La méthode de volume fini de pour déterminer l'énergie potentielle, la densité d'électron basée sur des calculs auto-cohérents des équations de Schrödinger et de Poisson est décrites en cette structureen_US
dc.language.isofren_US
dc.titleInvestigation de la concentration de gaz d’électrons à deux dimensions 2DEG dans les Hétérostructures n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs dopé sélectivementen_US
dc.typeThesisen_US
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