Elaboration et carctérisation des couches minces de Zno pures et dopées en Bi par voie Sol-gel

Abstract

L’oxyde de zinc (ZnO) est un matériau semi-conducteur transparent de la famille des TCOs, il présente des propriétés électroniques, électriques et optiques intéressantes pour les applications optoélectronique, notamment dans le domaine photovoltaïque. La bande interdite est de nature directe, la valeur de sa largeur varie de 3.3 eV à 3.4 eV et une énergie de liaison excitonique de 60 meV. Le présent travail consiste de l'élaboration et la caractérisation des couches minces de ZnO pures et dopées en Bismuth dans le but d’améliorer les propriétés structurales du ZnO. L'élaboration des échantillons a été efectuée par la méthode sol-gel en utilisant la technique dip coating. Les analyses des couches minces de ZnO pures et dopées en Bi avec la technique de la diffraction des rayons X et spectroscopie Infra rouge montrent que ces couches ont une structure hexagonale et taille des grains à l’échelle nanométrique. Le dopage avec le Bi donne des tailles des grains assez fines que ZnO pure. ce résultats repend favorablement à nos aspiration.