Etude ab initio des propriétés structurales; électroniques; élastiques et optiques des composés III- P

Abstract

Les semi-conducteurs (III-V) à base de phosphore, tels que le BP, AlP, GaP et InP, présentent des performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. Cependant, la fabrication de ces composés n’est pas facile, en raison des difficultés de synthétisation. D’où, la bonne connaissance de leurs propriétés est indispensable. De nos jour, les méthodes de type ab initio se révèlent de plus en plus comme étant un outil de choix pour interprétés à l’échelle microscopique les observations expérimentales et guider efficacement le choix des expérimentales. Les propriétés structurales, électroniques, élastiques et optiques des composés (XP) sont calculés par la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) en utilisant la méthode de pseudo potentiels et cela dans le cadre des approximations LDA et GGA. Les propriétés structurales, élastiques et optiques (L’indice de réfraction. ... ) ainsi que les propriétés électroniques (structure de bande et densité d’état) sont calculées. Les résultats obtenus par la simulation et en bon accord avec les résultats expérimentaux et les calculs théoriques disponibles. Ce travail est implémenté dans le code CASTEP.