Simulation numérique d’une Cellule solaire (p/n) en GaAs

Abstract

Nous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiques électriques, courant-tension et réponse spectrale, d'une cellule solaire en p-n en GaAs. Les paramètres de sortie de la cellule calculés par simulation sont 30.64 mA/cm2 , 0.917 V, 85.43% et un rendement de 24.01 %. On a fait également une étude de l'effet de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur et du collecteur, ainsi que les densités des défauts intrinsèques sur les paramètres de sortie de la cellule qui sont, la tension de circuit ouvert � �� , le courant de court circuit ��� , le facteur de forme �� , le rendement de conversion �, et la réponse spectrale. D'après les résultats, les paramètres du collecteur ont plus d'effets par rapport à ceux de l'émetteur. L'augmentation de la densité du piège profond à électron (0.46 eV par rapport à ��) de 1012 à 1015��−3 induit une diminution dans le rendement de conversion de la cellule de 20.2% (de 26.94 à 21.5%). Alors que l'augmentation de la densité du centre de recombinaison (0.71 eV) cause une diminution de 7.9% (de 26.96 à 24.81%).