Etude des propriétés optoélectroniques et diélectriques des matériaux semiconducteurs

Abstract

Nous rapportons dans ce travail une étude des propriétés optoélectroniques et diélectriques des alliages semiconducteurs : ternaires et quaternaires , dans la structure zinc blende. Les calculs sont principalement basés sur l'approche du pseudopotentiel empirique avec l’approximation du cristal virtuel VCA. Les paramètres étudiés du , tels que, le gap énergétique , constantes diélectriques indice de réfraction, présentent une variation monotone avec la concentration x du zinc. Les constantes diélectriques de haute fréquence et statique ont été mis à l'échelle avec le gap d’énergie fondamental, la variation présente un comportement non-linéaire. Nos résultats montrent que le en accord de maille avec ZnTe est un semiconducteur a gap direct, pour toutes les valeurs de x et y (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 0,879). Les quantités étudiées sont trouvées fortement dépendantes du pourcentage du désaccord de maille La présente étude offre d’avantage possibilités pour obtenir des indices de réfraction et des constantes diélectriques, tout en contrôlant les paramètres de composition (x et y) ou le pourcentage de désaccord de maille.