Investigation de la concentration de gaz d’électrons à deux dimensions 2DEG dans les Hétérostructures n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs dopé sélectivement

Abstract

Ces dernières années, les tailles des nanostructures de semi-conducteurs sont devenues si petites que nous devons tenir compte des effets quantique. Le gaz d'électron bidimensionnel dans l’hétérostructure AlGaAs/InGaAs/GaAs pour une variété de différentes configurations est étudié. La méthode de volume fini de pour déterminer l'énergie potentielle, la densité d'électron basée sur des calculs auto-cohérents des équations de Schrödinger et de Poisson est décrites en cette structure